Rumah Produk Komponen Sirkuit Terpadu

IRFI4019HG-117P MOSFET Daya 190A 100V Ultra-Rendah Rds(on) 1.9mΩ TO-264 Efisiensi Tinggi Kinerja Kuat Manajemen Termal Unggul dan Kepadatan Daya Tinggi untuk Aplikasi Menuntut

Semua produk

Modul 4G 5G (37)

Modul Komunikasi Nirkabel (38)

modul penerima gps (11)

Modul Daya Terintegrasi (4)

Modul Daya IGBT (0)

Komponen Sirkuit Terpadu (204)

Komponen Elektronik Pasif (12)

High Gain GPS Antenna (14)

Antena Komunikasi Wireless (30)

Antena Combo (14)

Antenna Frekuensi Rendah (5)

Digital antena tv (7)

RF Coaxial Cable (9)

konektor coaxial rf (10)

jasa perakitan PCB (5)

Konektor Blok Terminal (16)

CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Sertifikasi

Produk unggulan, kualitas bagus, harga kompetitif, layanan profesional, dengan kerjasama 10 tahun, sekarang kita menjadi teman baik satu sama lain.

—— Ronald-dari Boilvia

Sangat senang menemukan TOP sebagai mitra kami di China, di sini kita bisa mendapatkan Produk dan serice terbaik, mereka selalu menempatkan pelanggan di tempat pertama.

—— Carlos-dari Argentina

Saya sangat puas dengan semua layanan Anda. Ini benar-benar tim yang bagus! dengan tawaran solusi satu atap Anda, bantu kami menghemat banyak waktu dan uang

—— Giancarlo-dari Italia

I 'm Online Chat Now

IRFI4019HG-117P MOSFET Daya 190A 100V Ultra-Rendah Rds(on) 1.9mΩ TO-264 Efisiensi Tinggi Kinerja Kuat Manajemen Termal Unggul dan Kepadatan Daya Tinggi untuk Aplikasi Menuntut

Gambar besar : IRFI4019HG-117P MOSFET Daya 190A 100V Ultra-Rendah Rds(on) 1.9mΩ TO-264 Efisiensi Tinggi Kinerja Kuat Manajemen Termal Unggul dan Kepadatan Daya Tinggi untuk Aplikasi Menuntut

Detail produk:

Tempat asal:	CINA
Nama merek:	Infineon
Sertifikasi:	CE, GCF, ROHS
Nomor model:	IRFI4019HG-117P

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	1
Harga:	negotiable
Kemasan rincian:	Dikemas dalam baki asli pertama, lalu karton, pada tas gelembung terakhir untuk pengemasan luar
Waktu pengiriman:	3-5 hari kerja setelah menerima pembayaran
Syarat-syarat pembayaran:	T/T, Western Union,
Menyediakan kemampuan:	1000 pcs per bulan

Kontak

Detil Deskripsi produk

Fungsi:	Step-Up, Step-Down	Konfigurasi output:	Positif atau negatif
Topologi:	Buck, Boost	Tipe output:	Bisa disesuaikan
Jumlah output:	1
Menyoroti:	MOSFET Daya 190A 100V , MOSFET Ultra-Rendah Rds(on) TO-264 , MOSFET Daya Kepadatan Tinggi

IRFI4019HG-117P 190A Power MOSFET 100V Ultra-Low Rds ((on) 1.9mΩ TO-264 Efisiensi Tinggi Kinerja Kuat Manajemen Termal Superior dan kepadatan daya tinggi untuk aplikasi yang menuntut

Fitur

Paket setengah jembatan terpadu

Mengurangi Jumlah Bagian Setengah

Memfasilitasi Tata Layout PCB yang Lebih Baik

Parameter Utama Dioptimalkan untuk Aplikasi Amplifier Audio Kelas D

RDS rendah ((ON) untuk Efisiensi yang Ditingkatkan

Qg dan Qsw rendah untuk THD yang lebih baik dan peningkatan efisiensi

Qrr rendah untuk THD yang lebih baik dan EMI yang lebih rendah

Dapat Pengiriman hingga 200W per Saluran ke 8Ω Load di Half-Bridge Configuration Amplifier

Paket Bebas Timah

Halogen Bebas

Aplikasi

Deskripsi

Digital Audio MosFET Half-Bridge ini dirancang khusus untuk aplikasi amplifier audio Kelas D. Ini terdiri dari dua saklar MosFET daya yang terhubung dalam konfigurasi setengah jembatan.Proses terbaru yang digunakan untuk mencapai rendah pada resistensi per area silikonSelain itu, muatan gerbang, pemulihan kebalikan dioda tubuh, dan resistensi gerbang internal dioptimalkan untuk meningkatkan faktor kinerja amplifier audio Kelas D utama seperti efisiensi, THD dan EMI.Ini menggabungkan untuk membuat ini Half-Jembatan sangat efisien, perangkat yang kuat dan dapat diandalkan untuk aplikasi amplifier audio Kelas D.

Informasi

Kategori	Produk semikonduktor diskrit Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET Array
Produsen	Infineon Technologies
Seri	-
Kemasan	Tabung
Status Bagian	Usang
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi	2 N-Channel (Dual)
Fitur FET	-
Tegangan pembuangan ke sumber (Vdss)	150V
Arus - aliran terus menerus (Id) @ 25°C	8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 50μA
Pengisian gerbang (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Kapasitas Masuk (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
Kekuatan - Max	18W
Suhu operasi	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe pemasangan	Melalui Lubang
Paket / Kasus	TO-220-5 Paket lengkap, Bentuk Bentuk
Paket Perangkat Pemasok	TO-220-5 Full-Pak
Nomor produk dasar	IRFI4019

Menggambar

Keuntungan kami:

Produk berkualitas tinggi --- penawaran kami adalah 100% baru dan asli, ROHS
Harga yang kompetitif --- saluran pembelian yang baik dengan harga yang baik.
Layanan profesional --- pengujian kualitas yang ketat sebelum pengiriman, dan layanan purna jual yang sempurna setelah pembelian.
Inventaris yang memadai --- Dengan dukungan dari tim pembelian kami yang kuat,
Pengiriman cepat --- kami akan mengirimkan barang dalam 1-3 hari kerja setelah pembayaran dikonfirmasi.

Pastikan untuk memenuhi kebutuhan Anda untuk semua jenis komponen.^_^

Daftar produk
Kami menyediakan serangkaian komponen elektronik, berbagai semikonduktor, aktif dan pasif komponen. Kami dapat membantu Anda untuk mendapatkan semua untuk bom PCB, dalam satu kata, Anda dapat mendapatkan solusi satu atap di sini,

Penawaran termasuk:
Sirkuit terpadu, IC memori, Diode, Transistor, Kondensator, Resistor, Varistor, Fuse, Trimmer & Potentiometer, Transformer, Baterai, Kabel, Relay, Switch, Konektor, Blok Terminal,Kristal & osilator, Induktor, Sensor, Transformer, IGBT Driver, LED,LCD, Konverter, PCB (Board Circuit Printed),PCBA (PCB Assembly)

kuat dalam merek:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, dll.

Label:

Kontak Person: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Produk lainnya

OPA192IDR Presisi Op-Amp dengan Offset 25μV, Drift 0.2μV/°C, GBW 10MHz, SR 20V/μS, Noise 1/f 1.1kHz, Input CMOS RRO, Ib 2.2nA, Paket SOIC-8

Fungsi: Step-Up, Step-Down

Konfigurasi output: Positif atau negatif

Topologi: Buck, Boost