IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb Densitas 166MHz Kecepatan 3.3V Operasi 16Mx16 Organisasi LVTTL Antarmuka Industrial Temp (-40°C~85°C) Paket TSOP-II Kompak Keandalan tinggi

IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb Kepadatan 166MHz Kecepatan Operasi 3.3V Organisasi 16Mx16 Antarmuka LVTTL Suhu Industri (-40°C~85°C) Paket TSOP-II Kompak Keandalan Tinggi

FITUR

• Frekuensi clock: 166, 143, 133 MHz

• Sepenuhnya sinkron; semua sinyal mengacu pada tepi clock positif

• Bank internal untuk menyembunyikan akses baris/pra-isi

• Catu daya

                               Vdd   Vddq

  IS42/45S16320B 3.3V   3.3V

  IS42S86400B      3.3V   3.3V

• Antarmuka LVTTL

• Panjang burst yang dapat diprogram – (1, 2, 4, 8, halaman penuh)

• Urutan burst yang dapat diprogram: Berurutan/Selang-seling

• Penyegaran Otomatis (CBR)

• Penyegaran Mandiri

• 8K siklus penyegaran setiap 16ms (kelas A2) atau 64 ms (Komersial, Industri, kelas A1)

• Alamat kolom acak setiap siklus clock

• Latensi CAS yang dapat diprogram (2, 3 clock)

• Kemampuan operasi burst baca/tulis dan burst baca/tulis tunggal

• Penghentian burst dengan perintah burst stop dan pra-isi

• Tersedia dalam TSOP-II 54-pin dan W-BGA 54-bola (hanya x16)

• Rentang Suhu Operasi:

  Komersial: 0oC hingga +70oC

  Industri: -40oC hingga +85oC

  Otomotif, A1: -40oC hingga +85oC

  Otomotif, A2: -40oC hingga +105oC

TINJAUAN UMUM

SDRAM Sinkron 512Mb ISSI mencapai transfer data berkecepatan tinggi menggunakan arsitektur pipeline. Semua sinyal input dan output mengacu pada tepi naik dari input clock. SDRAM 512Mb diorganisasikan sebagai berikut.

TINJAUAN PERANGKAT

SDRAM 512Mb adalah memori akses acak dinamis CMOS berkecepatan tinggi yang dirancang untuk beroperasi dalam sistem memori 3.3V Vdd dan 3.3V Vddq yang berisi 536.870.912 bit. Secara internal dikonfigurasi sebagai DRAM quad-bank dengan antarmuka sinkron. Setiap bank 134.217.728-bit diorganisasikan sebagai 8.192 baris kali 1024 kolom kali 16 bit. Masing-masing bank x8 134.217.728-bit diorganisasikan sebagai 8.192 baris kali 2048 kolom kali 8 bit.

SDRAM 512Mb mencakup MODE PENYEGARAN OTOMATIS, dan mode hemat daya, mati daya. Semua sinyal terdaftar pada tepi positif dari sinyal clock, CLK. Semua input dan output kompatibel dengan LVTTL.

SDRAM 512Mb memiliki kemampuan untuk meledakkan data secara sinkron pada laju data yang tinggi dengan pembuatan alamat kolom otomatis, kemampuan untuk menyelingi antara bank internal untuk menyembunyikan waktu pra-isi dan kemampuan untuk mengubah alamat kolom secara acak pada setiap siklus clock selama akses burst.

Pra-isi baris yang diatur sendiri yang dimulai pada akhir urutan burst tersedia dengan fungsi AUTO PRECHARGE diaktifkan. Pra-isi satu bank saat mengakses salah satu dari tiga bank lainnya akan menyembunyikan siklus pra-isi dan memberikan operasi akses acak berkecepatan tinggi yang mulus.

Akses baca dan tulis SDRAM berorientasi burst dimulai pada lokasi yang dipilih dan berlanjut untuk sejumlah lokasi yang diprogram dalam urutan yang diprogram. Pendaftaran perintah AKTIF memulai akses, diikuti oleh perintah BACA atau TULIS. Perintah AKTIF yang dikaitkan dengan bit alamat yang terdaftar digunakan untuk memilih bank dan baris yang akan diakses (BA0, BA1 memilih bank; A0-A12 memilih baris). Perintah BACA atau TULIS yang dikaitkan dengan bit alamat yang terdaftar digunakan untuk memilih lokasi kolom awal untuk akses burst.

Panjang burst BACA atau TULIS yang dapat diprogram terdiri dari 1, 2, 4 dan 8 lokasi atau halaman penuh, dengan opsi penghentian burst.

DESKRIPSI

SDRAM 512Mb adalah DRAM quad-bank yang beroperasi pada 3.3V dan menyertakan antarmuka sinkron (semua sinyal terdaftar pada tepi positif dari sinyal clock, CLK). Masing-masing bank 134.217.728-bit diorganisasikan sebagai 8.192 baris kali 1024 kolom kali 16 bit atau 8192 baris kali 2048 kolom kali 8bit.

Akses baca dan tulis ke SDRAM berorientasi burst; akses dimulai pada lokasi yang dipilih dan berlanjut untuk sejumlah lokasi yang diprogram dalam urutan yang diprogram. Akses dimulai dengan pendaftaran perintah AKTIF yang kemudian diikuti oleh perintah BACA atau TULIS. Bit alamat yang terdaftar bersamaan dengan perintah AKTIF digunakan untuk memilih bank dan baris yang akan diakses (BA0 dan BA1 memilih bank, A0 A12 memilih baris). Bit alamat A0-A9 (x16); A0-A9, A11 (x8) terdaftar bersamaan dengan perintah BACA atau TULIS digunakan untuk memilih lokasi kolom awal untuk akses burst.

Sebelum operasi normal, SDRAM harus diinisialisasi. Bagian berikut memberikan informasi terperinci yang mencakup inisialisasi perangkat, definisi register, deskripsi perintah, dan pengoperasian perangkat.

INFORMASI

Gambar

Keuntungan kami :

• Produk berkualitas tinggi --- penawaran kami 100% baru dan asli, ROHS
• Harga yang kompetitif --- saluran Pembelian yang baik dengan harga yang baik.
• Layanan profesional --- pengujian kualitas yang ketat sebelum pengiriman, dan layanan purna jual yang sempurna setelah pembelian.
• Inventaris yang memadai --- Dengan dukungan dari tim Pembelian kami yang kuat,
• Pengiriman cepat --- kami akan mengirimkan barang dalam waktu 1-3 hari kerja setelah pembayaran dikonfirmasi.

pastikan untuk memenuhi kebutuhan Anda untuk semua jenis komponen.^_^


Daftar Produk
Menyediakan Serangkaian Komponen Elektronik, berbagai macam semikonduktor, Komponen aktif & pasif. Kami dapat membantu Anda mendapatkan semua untuk bom PCB, Singkatnya, Anda bisa mendapatkan solusi satu atap di sini,


Penawaran termasuk:
Sirkuit Terpadu, IC Memori, Dioda, Transistor, Kapasitor, Resistor, Varistor, Sekering, Trimmer & Potensiometer, Transformator, Baterai, Kabel, Relai, Sakelar, Konektor, Blok Terminal, Kristal & Osilator, Induktor, Sensor, Transformator, Driver IGBT, LED, LCD, Konverter, PCB (Papan Sirkuit Cetak), PCBA (Rakitan PCB)

Kuat dalam Merek:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, dll